Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Transistorart
Technologie
Transistorpolung
Betriebsfrequenz
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Emitter-Basisspannung VEBO
Kollektorgleichstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Konfiguration
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Datenblatt
202Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Datenblatt
179Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Tube
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

MAX2601 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-Narrow-8 Reel
Analog Devices / Maxim Integrated HF-Bipolartransistoren 3.6V, 1W RF Power Transistors for 900MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2'500
Mult.: 2'500
Rolle: 2'500

MAX2602 Bipolar Power Si NPN 900 MHz 100 17 V 2.3 V 200 mA - 40 C + 85 C Single SMD/SMT SOIC-8 Reel