STMicroelectronics MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Datenblatt
922Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 34 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP ultra
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1’000
Mult.: 1’000

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 445 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 22 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube