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STGYA50H120DF2

Name: STMicroelectronics STGYA50H120DF2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGYA50H120DF2
Price: 5.14 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGYA50H120DF2

Herst.- Nr.:

STGYA50H120DF2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT

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Datenblatt:

STGYA50H120DF2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	2.1 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	535 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	4.430 g

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

1200V H-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über eine 5μs Kurzschlussfestigkeits-Widerstandszeit bei T_J=150°C, ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (V_CE(sat)) hinunter bis zu 2,1V (Typ.), was Energieverluste während des Schaltens und Einschaltens minimiert. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie sind ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißmaschinen, Photovoltaik-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur und Hochfrequenz-Wandler.
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