STMicroelectronics SiC Schottky Dioden

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Verpackung
STMicroelectronics SiC Schottky Dioden 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Datenblatt
593Auf Lager
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Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics SiC Schottky Dioden Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
Datenblatt
1'194erwartet ab 02.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DO-247-2 Single 20 A 650 V 1.3 V 135 A 17 uA - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube