Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs

onsemi Trench6-n-Kanal-MV-MOSFETs sind MOSFETs mit 30 V, 40 V und 60 V, die mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt werden, das die abgeschirmte Gate-Technologie enthält. Dieses Verfahren wurde für die Reduzierung des Einschaltwiderstands optimiert und bietet mit einer erstklassigen Soft-Bodydiode trotzdem eine überragende Schaltleistung.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Handelsname
Verpackung
onsemi MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 300 A 920 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 86 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs T6 60V LL LFPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 60 V 250 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 41 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 185 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 47 nC - 55 C + 175 C 106 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT PQFN-88-8 N-Channel 1 Channel 40 V 553.8 A 400 uOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 163 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 60 V 464 A 720 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 72 nC - 55 C + 175 C 294.6 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-4 N-Channel 1 Channel 40 V 102 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs 40V 5.4 MOHM T8 SO-8FL DUAL DFN-8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 40 V 70 A 5.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs T6 60V S08FL DUAL
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 60 V Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 30V NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
Rolle: 1’500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi MOSFETs T6 40V SG NCH SO8FL HEFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500
Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 40 V 353 A 800 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 110 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
onsemi MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
Rolle: 1’500

Si SMD/SMT DFN-8 Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 6 40V SL NFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT LFPAK-8 N-Channel 1 Channel 40 V 235 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 65 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs T6 60V SG PQFN8x8 EXPANSI
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT Power-88-8 N-Channel 1 Channel 60 V 376 A 910 uOhms - 20 V, 20 V 2 V 113 nC - 55 C + 175 C 5 W, 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 558 A 450 uOhms - 20 V, 20 V 4 V 251 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs AFSM T6 40V LL NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000
Si SMD/SMT DFNW-8 N-Channel 1 Channel 40 V 433 A 630 uOhms - 20 V, 20 V 1 V 205 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs NFET SO8FL 30V 1.15MO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1’500
Mult.: 1’500
Rolle: 1’500
Si SMD/SMT SO-8FL N-Channel 1 Channel 30 V 241 A 1.15 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 82 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs T6 40V LL LFPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs T6 40V SL LFPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi MOSFETs T6 60V LL LFPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 3’000
Mult.: 3’000
Rolle: 3’000

Si SMD/SMT LFPAK-8 Reel
onsemi MOSFETs T6 60V LL LFPAK
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 3’000

Si LFPAK-8 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs NFET U8FL 30V 55A 5.9MOHM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
Rolle: 5’000

Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 30V, 40A, 9.4mohm
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 5’000
Mult.: 5’000
Rolle: 5’000
Si SMD/SMT WDFN-8 AEC-Q101 Reel
onsemi MOSFETs TRENCH 30V NCH
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen

Si SMD/SMT SO-8FL-4 N-Channel 1 Channel 30 V 51 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 1.3 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 32 W Enhancement Reel
onsemi NTMFS016N06CT1G
onsemi MOSFETs T6 60V SG HIGHER RDS-ON PORTFOLIO
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 23 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 1’500

Si Reel, Cut Tape