RN-Automotive-Vorspannungswiderstand für ingebaute Transistoren

RN-Automotive-Vorspannungswiderstände mit eingebauten Transistoren (BRT) von Toshiba sind AEC-Q101-qualifiziert und für Schalt-, Wechselrichter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungsautomotive optimiert. Der Vorspannungswiderstand ist integriert, wodurch die Anzahl der erforderlichen externen Teile reduziert und die Systemgröße und Bestückungszeit reduziert werden. Die RN-Automotive-Vorspannungswiderstände (BRTs) von Toshiba bieten einen breiten Widerstandsbereich zur Anpassung an verschiedene Schaltungsdesigns.

Arten von diskreten Halbleitern
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Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
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37’368Auf Lager
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: 3’000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
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41’000Auf Lager
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: 8’000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5’942Auf Lager
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: 3’000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
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5’980Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Datenblatt
5’998Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR NPN Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-346)
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5’953Auf Lager
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: 3’000

Digital Transistors SMD/SMT SC-59-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Datenblatt
5’119Auf Lager
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Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Datenblatt
2’715Auf Lager
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: 3’000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q TR PNP Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-346)
Datenblatt
5’985Auf Lager
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: 3’000

Digital Transistors SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-563 (ES6)
Datenblatt
5’870Auf Lager
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: 4’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:350-700 SOT-323 (USM)
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1’948Auf Lager
6’000erwartet ab 17.08.2026
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + NPN Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Datenblatt
7’662Auf Lager
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: 4’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q NPN + NPN Tr VCEO:50V Ic:0.15A hFE:120-240 SOT-363 (US6)
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5’617Auf Lager
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT US-6
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP + PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-563 (ES6)
Datenblatt
7’688Auf Lager
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: 4’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT ES-6
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:3.5A PD:1.5W TSOP6F
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4’724Auf Lager
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: 3’000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
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30’270Auf Lager
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: 4’000

Digital Transistors SMD/SMT ES-6
Toshiba MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
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6’269Auf Lager
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: 3’000

MOSFETs Si SMD/SMT TSOP6F
Toshiba ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden AUTO AEC-Q Bidirectional ESD Prot. Diode CT:9pF VBR:16.2V @1mA VESD:+/-30V IPP:2.5A IR:0.1uA SOD-323
Datenblatt
8’113Auf Lager
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: 3’000

SOD-323-2
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
Datenblatt
6’107Auf Lager
8’000erwartet ab 18.08.2026
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: 8’000

Digital Transistors SMD/SMT VESM-3
Toshiba Digitaltransistoren AUTO AEC-Q Single PNP Q1BSR=4.7kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-416)
Datenblatt
3’000Auf Lager
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: 3’000

Digital Transistors SMD/SMT SSM-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-346 (S-Mini)
Datenblatt
10’984Auf Lager
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:70-140 SOT-346 (S-Mini)
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5’764Auf Lager
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-346 (S-Mini)
Datenblatt
7’585Auf Lager
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT S-Mini-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-323 (USM)
Datenblatt
6’937Auf Lager
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: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3
Toshiba Bipolartransistoren - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-323 (USM)
Datenblatt
487Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 3’000

BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT USM-3