X-Class Serie Diskrete Halbleiter

Arten von diskreten Halbleitern
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 25

MOSFETs Si Through Hole TO-264-3
IXYS MOSFET-Module 850V/90A Ultra Junction X-Class
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 41 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFET Modules Si Screw Mount SOT-227-4
IXYS MOSFETs TO220 850V 14A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs TO220 850V 4A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 850V/3.5A UlJun XCl HiPerFET Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS MOSFETs 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 30

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs TO252 850V 4A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 350
Mult.: 70

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)

IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 300
Mult.: 50

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
IXYS MOSFETs 650V/9A Power MOSFET
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3

IXYS MOSFETs 650v/32A Power MOSFET
Datenblatt
N/A

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS IXFN74N100X
IXYS MOSFETs MBLOC 1KV 74A N-CH XCLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 300
Mult.: 10

MOSFETs Si