IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Konfiguration
If - Durchlassstrom
Vrrm - Periodische Sperrspannung
Vf - Durchlassspannung
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom
Ir - Sperrstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Vr - Sperrspannung
Serie
Verpackung
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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Mult.: 40

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C 600 V SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
Datenblatt
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Min.: 40
Mult.: 40

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C 600 V SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 10A 600V Triple SiC Schottky Diode
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Min.: 40
Mult.: 40

SMD/SMT SMD-6 Triple 10 A 600 V 1.6 V 25 A 10 uA - 55 C + 175 C 600 V SS150 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple Common Anode SiC Schottky Diode
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Mult.: 30

SMD/SMT SMD-6 Triple Common Anode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple Common Cathode SiC Schottky Diode
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Min.: 30
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SMD/SMT SMD-6 Triple Common Cathode 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV SS27 Tube
IXYS Integrated Circuits SiC Schottky Dioden 5A 1200V Triple SiC Schottky Diode
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Min.: 30
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SMD/SMT SMD-6 Triple 5 A 1.2 kV 1.6 V 12 A 50 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV SS27 Tube