ROHM Semiconductor MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 300A, Boost Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 600 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Datenblatt
11Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V Vdss; 204A ID SiC Mod; SICSTD02
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 1.6 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Tray
ROHM Semiconductor MOSFET-Module Mod: 1200V 180A (no Diode)
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.26 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 358A 1200V HALF BRIDGE SIC
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.57 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 447A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 447 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 567A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 567 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 1.78 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1700V Vdss; 250A Id SiC Pwr Module
Datenblatt
48Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.7 kV 250 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.8 kW BSMx Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 300A SiC Power Module
Datenblatt
4erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 291A, Half bridge, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
4erwartet ab 17.02.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 291 A - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 150 C 925 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 134A, Chopper, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 935 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 180A, Chopper, Full SiC-Power Module with Trench MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 12
Mult.: 12

SiC Screw Mount Module N-Channel 1 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 880 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 204A, Half bridge, Silicon-carbide (SiC) Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 1.36 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module SIC Pwr Module Half Bridge
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 80
Mult.: 80
SiC Press Fit N-Channel 2 Channel 1.2 kV 394 A 8.6 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 1.667 kW Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 47A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 47 A 37 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 227 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 70A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC 4 Channel 1.2 kV 70 A 25 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 90A, Full-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 4 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 750V, 90A, 3-Phase-bridge, Automotive / Industrial Grade SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60
SiC HSDIP-20 N-Channel 6 Channel 750 V 90 A 19 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 385 W Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET-Module 1200V, 106A, Half-bridge, SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 27 Wochen
Min.: 225
Mult.: 225
SiC DOT-247-7 N-Channel 2 Channel 1.2 kV 106 A 15 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V - 40 C + 175 C 361 W Tube