Power Modules MOSFET-Module

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
STMicroelectronics MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, sixpac topology, 1200 V, 47.5 mOhm typ. SiC Power MOSFET with NTC
Datenblatt
124Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Press Fit 6 Channel 30 A 60.5 mOhms 1200 V - 10 V, 22 V - 40 C + 175 C Tube
STMicroelectronics MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC
Datenblatt
127Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 188 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMX Tube
SemiQ MOSFET-Module Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMX Tube
STMicroelectronics MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 12
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 132
Mult.: 132

Press Fit 6 Channel 1.2 kV 30 A 114 mOhms - 10 V to + 22 V 5 V - 40 C + 175 C Tube
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

2300 V 296 A N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 5.8m Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

2300 V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

SiCPAK G+ 2300 V 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

2300 V 8 mOhms - 55 C + 150 C N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

2300 V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H11MT23GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 2300V 11.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

2300 V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

3300 V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray
GeneSiC Semiconductor G4H22MT33GB4-T
GeneSiC Semiconductor MOSFET-Module 3300V 22.5m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module, with Pre-Applied TIM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 48
Mult.: 48

3300 V N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET Tray