Lösungen zur Energiespeicherung

onsemi Energiespeichersysteme (ESS) speichern Strom aus verschiedenen Energiequellen wie Kohle, Kernkraft, Wind und Sonne in verschiedenen Formen, darunter Batterien (elektrochemisch), Druckluft (mechanisch) und Salzschmelze (thermisch). Diese Lösung konzentriert sich auf Batterie-Energiespeichersysteme, die an Solar-Wechselrichtersysteme angeschlossen sind.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Serie
Verpackung
onsemi MOSFET-Module 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
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23Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 350 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 979 W NXH003P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
49Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 435 A 5.88 mohms - 10 V, + 22 V 2.4 V - 40 C + 175 C 1.482 kW NXH003P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
26Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-36 1.2 kV 284 A 7.5 mohms - 10 V, + 22 V 2.8 V - 40 C + 175 C 785 W NXH004P120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
Datenblatt
10Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC NXH004P120M3F2PTNG Tray
onsemi MOSFET-Module 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
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27Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 129 A 8.5 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 371 W NXH008T120M3F2PTHG Tray
onsemi MOSFET-Module 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
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29Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Press Fit PIM-29 1.2 kV 91 A 11.9 mOhms - 10 V, + 22 V 1.8 V - 40 C + 150 C 272 W NXH011T120M3F2PTHG Tray

onsemi MOSFET-Module 30KW Q1BOOST FULL SIC
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6Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SiC - 40 C + 150 C 156 W NXH40B120MNQ1 Tray