STMicroelectronics STF33N60DM2 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220FP pack
Datenblatt
1’225Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 600 V, 115 mOhm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220FP packa
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 128 mOhms - 20 V, 20 V 3.25 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube