CoolSiC™ G1-SiC-Trench-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen, 1200 V

Infineon Technologies CoolSiC™ Fahrzeug 1.200 V G1 SiC Trench MOSFETs bieten eine erhöhte Leistungsdichte, einen höheren Wirkungsgrad und eine verbesserte Zuverlässigkeit. Das granulare Portfolio umfasst 1.200-V-SiC-MOSFETs in TO-247-3pin-, TO-247-4pin- und D2PAK-7pin-Gehäusen mit einem R_DS(on) von 8,7 mΩ bis 160 mΩ und ID bei +25 °C, maximal 17 A bis 205 A. Hochleistungsdichte, überlegener Wirkungsgrad, bidirektionale Ladefunktions-Fähigkeiten und signifikante Reduzierungen der Systemkosten machen die Infineon Technologies 1.200 V Fahrzeug CoolSiC™ MOSFET Module zu einer idealen Wahl für Onboard Ladegeräte und DC/DC Applikationen. Die TO- und SMD-Komponenten verfügen außerdem über Kelvin-Quellen-Pins für eine optimierte Schaltleistung.