PDIP-14 MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Datenblatt
47Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 16 mA, 40 mA 50 Ohms, 180 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Dual P&N-Ch. Pair
Datenblatt
164Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel, P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA, 4.8 mA 350 Ohms, 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad N-Channel Array
Datenblatt
53Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 N-Channel 4 Channel 12 V 4.8 mA 350 Ohms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube

Advanced Linear Devices MOSFETs Quad P-Channel Array
Datenblatt
70Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole PDIP-14 P-Channel 4 Channel 12 V 2 mA 1.2 kOhms - 12 V, 12 V 400 mV 0 C + 70 C 500 mW Enhancement Tube