L2 Serie MOSFETs

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung

IXYS MOSFETs TO247 100V 64A N-CH LINEAR
Datenblatt
133Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO263 500V 15A N-CH LINEAR
Datenblatt
433Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 15 A 480 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 123 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement Linear L2 Tube
IXYS MOSFETs TO263 100V 64A N-CH LINEAR
Datenblatt
1'492Auf Lager
850erwartet ab 22.06.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 64 A 32 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 100 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube

IXYS MOSFETs TO247 N-CH 75V 80A
Datenblatt
438Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 80 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Linear L2 Tube