EVSTGAP2SICSANC

STMicroelectronics
511-EVSTGAP2SICSANC
EVSTGAP2SICSANC

Herst.:

Beschreibung:
IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung Demonstration board for STGAP2SICSANC isolated single gate driver

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STMicroelectronics
Produktkategorie: IC-Entwicklungstools für Energieverwaltung
RoHS:  
Evaluation Boards
Gate Driver
STGAP2SICSANC
Marke: STMicroelectronics
Ausgangsstrom: 4 A
Verpackung: Bulk
Produkt-Typ: Power Management IC Development Tools
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Development Tools
Gewicht pro Stück: 80 g
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Ausgewählte Attribute: 0

CAHTS:
9030820000
USHTS:
9030820000
KRHTS:
9030820000
TARIC:
9030820000
MXHTS:
9030820100
ECCN:
EAR99

EVSTGAP2SICSANC Demonstrationsboard

Das STMicroelectronics   EVSTGAP2SICSANC Demonstrationsboard ist für den STGAP2SICSANC isolierten Einzel-Gate-Treiber ausgelegt und steuert eine Halbbrücken-Leistungsstufe mit einer Nennspannung von bis zu 520 V an. Dieses Demonstrationsboard implementiert eine negative gate-Ansteuerung und die isolierten On-board-DC/DC-Wandler ermöglichen den Betrieb mit optimierter Ansteuerspannung für SiC-MOSFET. Die EVSTGAP2SICSAC Board-Komponenten sind einfach zugänglich und zu ändern, um die Treiberleistung unter verschiedenen Applikationsbedingungen zu evaluieren. Dieses Demonstrationsboard eignet sich hervorragend für   Wechselrichterapplikationen mit mittlerer und hoher Leistung, wie z. B. Motortreiber in Industrieapplikationen, die mit SiC-MOSFET-Leistungsschaltern ausgestattet sind.