Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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Arten von Spannungsversorgungs-Management-ICs
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Menge RoHS Montageart
Verpackung/Gehäuse
Ausgangsspannung
Texas Instruments Gate-Treiber Synchronous Buck Nex FET Power Stage CSD A 595-CSD95379Q3M
Datenblatt
1’498Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT VSON-10
Texas Instruments Gate-Treiber 20 V 60 A SON 5 x 6 mm DualCool synchron A 595-CSD95472Q5MCT
Datenblatt
3’229Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SMD/SMT VSON-12 5.5 V

Texas Instruments Gate-Treiber 30A Synchronous Buck NexFET Power Stage A 595-CSD97396Q4MT
Datenblatt
6’391Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2’500

SMD/SMT VSON-CLIP-8
Texas Instruments Kabellose Lade-ICs NexFET Power Stage A 595-BQ500101DPCR A A 595-BQ500101DPCR
Datenblatt
5’176Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT VSON-CLIP-8
Texas Instruments Gate-Treiber 20 V 60 A SON 5 x 6 mm DualCool synchron A 595-CSD95472Q5MC
Datenblatt
346Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT VSON-CLIP-12 5.5 V
Texas Instruments Gate-Treiber 30A Sync Buck NexFET Power Stage A 595-C A 595-CSD97396Q4M
Datenblatt
64Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

SMD/SMT SON-9