N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs

Die N-Kanal-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor weisen während des Schaltens keinen Nachlaufstrom auf, was zu einem schnelleren Betrieb und reduzierten Schaltverlusten führt. Ihr niedriger On-Widerstand und die kompakte Chip-Größe gewährleisten eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Diese SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM weisen minimale ON-Widerstandserhöhungen auf und bieten eine größere Miniaturisierung des Gehäuses. Dies bietet mehr Energieeinsparungen als Standard-Si-Geräte, bei denen sich der ON-Widerstand mit steigender Temperatur mehr als verdoppeln kann.

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Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Ausgangsspannung
Ausgangsleistung
Eingangs-/Versorgungsspannung - Min.
Eingangs-/Versorgungsspannung - Max.
Struktur
Technologie
Schaltfrequenz
Betriebszyklus ( Max.)
Betriebsversorgungsstrom
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
ROHM Semiconductor AC/DC-Wandler Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
Datenblatt
3'998Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DIP-7 35 W 8.9 V 26 V Flyback Si 100 kHz 90 % 900 uA - 40 C + 105 C Tube
ROHM Semiconductor AC/DC-Wandler Quasi-Resonant Control type DC/DC Converter IC: The quasi-resonant controller typed AC/DC converter IC BM1Q041FJ provides an optimum system for all products that include an electrical outlet. Quasi-resonant operation enables soft switching and helps
Datenblatt
4'000Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2'500

SMD/SMT SOP-8 12.5 V 8.9 V 26 V Si 120 kHz 600 uA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor AC/DC-Wandler Built-in Switching MOSFET PWM-type DC/DC Converter IC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 19 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole DIP-7 30 W 8.9 V 26 V Flyback Si 100 kHz 90 % 650 uA - 40 C + 105 C Tube