110S Serie DRAM

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Micron DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA DDP
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1'950Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1'950
Rolle: 2'000

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 2.133 GHz VFBGA-200 128 M x 32 1.1 V - 25 C + 85 C 110S Reel, Cut Tape
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 WFBGA 2 IT
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1'028Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 1'028

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 110S Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 2 AT
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795Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 795

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 1.866 GHz WFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C 110S Tray
Micron DRAM LPDDR4 4G 128MX32 FBGA
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5'481Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 5'481
Rolle: 2'000

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.866 GHz VFBGA-200 128 M x 32 1.1 V - 25 C + 85 C 110S Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM LPDDR4 4Gbit 32 200/264 TFBGA 2 AT
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521Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 521

SDRAM Mobile - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 128 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C 110S Tray
Micron DRAM LPDDR4 8Gbit 16 200/264 WFBGA 1 AT
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82Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 82

SDRAM Mobile - LPDDR4 8 Gbit 16 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C 110S Tray