IXFH150N17T2

IXYS
747-IXFH150N17T2
IXFH150N17T2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 175V 150A

Datenblatt:
ECAD Model:
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IXYS
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
175 V
150 A
12 mOhms
30 V
2.5 V
233 nC
- 55 C
+ 175 C
880 W
Enhancement
HiPerFET
Tube
Marke: IXYS
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 20 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 165 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 16 ns
Serie: IXFH150N17
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 50 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 32 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Korea, Republik von
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Kommerzielle & taktische UAV-Systeme

Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme (Unmanned Aerial Vehicle) von Littelfuse bieten Lösungen für den Schutz von Lithium-Ionen-Akkus, Akkuladegeräte und die Stromverteilung. Diese Systeme verfügen über Sicherungen zum Schutz des Eingangs bzw. zum Überstromschutz, MOSFETs zur Halbleiterschaltung sowie TVS-Dioden zum Schutz des DC-Ausgangs vor Transienten und Überspannungen. Die kommerziellen und taktischen UAV-Systeme bieten einen Batterieschutz für Spannungen > 60 V und verfügen über eine Fehlerisolierung für die Hauptbatterie, eine Batterietrennung/Strompfadsteuerung (Unterstützung der Vorladung) sowie einen Überstromschutz für die Abzweigstromkreise. Typische Applikationen umfassen Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär, Grenzüberwachung, Landwirtschaft, Liefer- und Logistikwesen, Inspektion und öffentliche Sicherheit.

Militärische UAV-Systeme mit Verbrennungsmotor bzw. Hybridantrieb

 Mit Kraftstoff betriebenen bzw. hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) von Littelfuse bieten Lösungen für die Stromumwandlung und den Gleichstrombus, die Stromverteilung sowie Ladegeräte und Bodenstromversorgung. Diese Systeme unterstützen die Stromumwandlung und verfügen über einen Gleichstrombus mit einer Gleichrichterdiode, die Wechselstrom-Netzspannung in Gleichstrom umwandelt. Die mit Treibstoff betriebenen bzw. hybriden militärischen unbemannten Luftfahrzeugsysteme (UAV) sind mit TVS-Dioden, Sicherungen und MOSFETs für Halbleiterschalter, Überspannungsschutz und Gleichrichtung ausgestattet. Diese Systeme bieten Produkte in AEC-Q/MIL-Qualität für verschiedene Anwendungsbereiche. Typische Applikationen sind Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Militär sowie Grenzüberwachung.

Drohnen-Subsysteme

Die Drohnen-Subsysteme von   Littelfuse bieten Lösungen für USB-C-PD- und Lithium-Ionen-Akkuladegeräte, Akkusysteme und BLDC-Motoren. Diese Subsysteme bieten Sicherungen für verschiedene Funktionen, darunter Überstromschutz und Fehlerisolierung für den Wechselstromeingang sowie Schutz für den Akku, den nachgeschalteten Controller, das Akkupack, die Verkabelung und den Controller. Die Drohnen-Subsysteme bieten TVS-Dioden zur Unterdrückung von Schalttransienten auf der Primärseite sowie einen Überspannungsschutz für die Messleitungs-Eingänge der Zellenüberwachungs-ICs. Diese Subsysteme eignen sich für verschiedene Drohnen, darunter Spielzeugdrohnen, Kameradrohnen, First-Person-View-Drohnen (FPV), Drohnen für den Unternehmens- und Industriebereich, Drohnen für Nachrichtendienst, Überwachung und Aufklärung (ISR), Inspektions- und Kartierungsdrohnen, Drohnen für die Landwirtschaft sowie Schwerlastdrohnen. Typische Applikationen umfassen Liefer- und Logistikwesen, öffentliche Sicherheit, Grenzüberwachung und Militär.

Elektrofahrzeug DC-Schnelladegeräte

Die Ladelösungen für das elektrische Fahrzeug (EV) von Littelfuse umfassen Off-Board-DC-Schnellladegeräte. Die EV-Ladelösungen von Littelfuse ermöglichen Designern die Auswahl der richtigen Lösung, um zu gewährleisten, dass die EV-Ladeeinheiten funktionstüchtig und sicher sind.

Gen2 Trench Gate Power MOSFETs

IXYS Gen2 Trench Gate Power MOSFETs are offered with drain-to-source voltage ratings from 40V to 170V and provide high current capabilities of up to 600A  (TC=@25°C). The combined high current ratings of these devices and available compact package options provide designers the ability to control more power within a smaller footprint. These IXYS devices promote device consolidation through the reduction or elimination of multiple paralleled lower current rated MOSFET devices in high power switching applications. The resultant effect is a reduction in part count, as well as the number of required drive components, thus improving upon over-all system simplicity, reliability, and cost.

HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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