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IXTH36P10

Name: IXYS IXTH36P10
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTH36P10
Price: 3.34 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTH36P10

Herst.- Nr.:

IXTH36P10

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs -36 Amps -100V 0.075 Rds

Datenblatt:

IXTH36P10 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	75 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	180 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	28 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	37 ns
Serie:	IXTH36P10
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	65 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	35 ns
Gewicht pro Stück:	6 g

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IXTH36P10 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541500000
MXHTS:: 85415001
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Korea, Republik von
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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IXTH36P10

Herst.: IXYS

Beschreibung: MOSFETs -36 Amps -100V 0.075 Rds

Technische Daten

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Produkt- und Handelskonformität

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