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IXTP2N80

Name: IXYS IXTP2N80
Brand: IXYS
SKU: 747-IXTP2N80
Price: 2.22 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

747-IXTP2N80

Herst.- Nr.:

IXTP2N80

Herst.:

IXYS

Beschreibung:

MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds

Datenblatt:

IXTP2N80 Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	IXYS
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	800 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	54 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	IXYS
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	15 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	18 ns
Serie:	IXTP2N80
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Nicht lieferbar
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

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IXTP2N80

Herst.: IXYS

Beschreibung: MOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds

Technische Daten

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