IPP65R090CFD7XKSA1

Name: Infineon IPP65R090CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-P65R090CFD7XKSA1
Price: 5.41 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-P65R090CFD7XKSA1

Herst.- Nr.:

IPP65R090CFD7XKSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs HIGH POWER_NEW

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

IPP65R090CFD7XKSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	700 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	90 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	127 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	IPP65R090CFD7 SP005413363

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Deutschland

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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IPP65R090CFD7XKSA1

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