GTRA412852FC-V1-R2
Siehe Produktspezifikationen
Herst.:
Beschreibung:
GaN FETs 235W, GaN HEMT, 48V, 3700-4100 MHz, 248 PP
- USHTS:
- 8541290055
- ECCN:
- 3A001.b.3.a.4
- Ursprungsland:
- Vereinigte Staaten
- Herstellungsland:
- Nicht lieferbar
- Land der Verbreitung:
- Nicht lieferbar
Verfügbarkeit
-
Lagerbestand:
-
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Liechtenstein
