Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

GTVA261802FC-V1-R2

Mouser-Nr.:

941-GTVA261802FCV1R2

Herst.- Nr.:

GTVA261802FC-V1-R2

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

Lebenszyklus:

Sonderbestellung ab Werk:

Holen Sie ein Angebot ein, um den aktuellen Preis, die Durchlaufzeit und die Bestellanforderungen des Herstellers zu bestätigen.

Datenblatt:

GTVA261802FC-V1-R2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	GaN FETs
Technologie:	GaN
Marke:	MACOM
Verpackung:	Reel
Produkt-Typ:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	GaN HEMT

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

GTVA261802FC-V1-R2 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Mehr erfahren

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Mehr erfahren

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Mehr erfahren

5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die drahtlose Übertragung der nächsten Generation.

Mehr erfahren

GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

50V RF transistors featuring input matching, high efficiency, and thermally enhanced packages.

Mehr erfahren

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager, rufen Sie bitte an, um ein Angebot anzufordern

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

GTVA261802FC-V1-R2

Herst.: MACOM

Beschreibung: GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

Technische Daten

Dokumente (2)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

EMPFOHLENE PRODUKTE MACOM

Verfügbarkeit

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

GaN FETs 180W, GaN HEMT, 48V, 2496-2690MHz, 248 PP

EMPFOHLENE PRODUKTE

MACOM