MSC010SDA170B

Microchip Technology
494-MSC010SDA170B
MSC010SDA170B

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
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Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
TO-247-2
Single
10 A
1.7 kV
1.5 V
90 A
200 uA
- 55 C
+ 175 C
1.7 kV
MSC0
Tube
Marke: Microchip Technology
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 13.047 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

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