MSC035SMA070B

Microchip Technology
494-MSC035SMA070B
MSC035SMA070B

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-247
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
700 V
77 A
44 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.

Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

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CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 8.48 CHF 8.48
CHF 7.82 CHF 78.20
CHF 7.74 CHF 928.80
CHF 7.26 CHF 1’960.20
CHF 7.24 CHF 3’692.40
CHF 7.21 CHF 7’354.20
5’010 Kostenvoranschlag

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