MSC035SMA070S

Microchip Technology
494-MSC035SMA070S
MSC035SMA070S

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-268
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Datenblatt:
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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
D3PAK-3
1 Channel
700 V
65 A
44 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.9 V
99 nC
- 55 C
+ 175 C
206 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Gewicht pro Stück: 6.200 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
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Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter

Microchip Technology Siliziumkarbid(SiC)-Halbleiter sind eine innovative Option für Leistungselektronik-Designer, welche den Systemwirkungsgrad verbessern, einen kleineren Formfaktor und höhere Betriebstemperaturen in Produkten im Bereich der Industrie, Medizintechnik, Militär-/Luft- und Raumfahrt, Luftverkehr und im Kommunikationsmarkt erzielen möchten. Die SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrier-Dioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip Technology wurden mit einer hohen repetitiven UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) entwickelt. Die SiC-MOSFETs können eine hohe UIS-Fähigkeit bei etwa 10 J/cm2 bis 15 J/cm2 bis 15 J/cm2 und einen robusten Kurzschlussschutz bei 3 ms bis 5 ms aufrechterhalten. Die SiC-SBDs von Microchip Technology sind für einen niedrigen Schaltverlust mit einem symmetrischen Stoßstrom, einer Durchlassspannung, einem thermischen Widerstand und thermischen Kapazitätswerten bei niedrigem Sperrstrom ausgelegt. Darüber hinaus können der SiC-MOSFET und die SiC-SBD für den Einsatz in Modulen gepaart werden.

Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs

Die Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs von Microchip Technology  bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium (Si)-Leistungs-MOSFETs.  Diese MOSFETs haben geringe Kapazitäten, niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und hohe Avalanche-Robustheit Die SiC-MOSFETs können den Betrieb bei einer hohen Sperrschichttemperatur von 175°C stabilisieren. Diese MOSFETs bieten einen hohen Wirkungsgrad mit geringen Schaltverlusten. Die SiC-MOSFETs benötigen keine Freilaufdioden. Typische Applikationen sind intelligente Stromnetzübertragung und -verteilung, Induktionserwärmung und -schweißen sowie Energieversorgung und -verteilung.

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CHF -.--
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CHF -.--
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 7.16 CHF 7.16
CHF 6.75 CHF 67.50
CHF 6.22 CHF 186.60
CHF 6.18 CHF 741.60
CHF 6.13 CHF 1’655.10
CHF 6.12 CHF 3’121.20
CHF 6.10 CHF 6’222.00
5’010 Kostenvoranschlag

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