MSC035SMA170B

Microchip Technology
494-MSC035SMA170B
MSC035SMA170B

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247
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Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.7 kV
68 A
45 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.8 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 17 ns
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 10 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 9 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Vereinigte Staaten
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SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

Auf Lager: 10

Lagerbestand:
10
sofort lieferbar
Auf Bestellung:
150
erwartet ab 24.09.2026
210
erwartet ab 01.10.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
17
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Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
CHF 32.66 CHF 32.66
CHF 30.11 CHF 301.10
CHF 26.21 CHF 3’145.20

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