MSC040SMA120B4

Microchip Technology
494-MSC040SMA120B4
MSC040SMA120B4

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
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Datenblatt:
ECAD Model:
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Microchip
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
66 A
40 mOhms
- 10 V, + 23 V
2.6 V
137 nC
- 55 C
+ 175 C
323 W
Enhancement
Marke: Microchip Technology
Verpackung: Tube
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorpolung: N-Channel
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiC-Schottky-Barriere-Dioden

Microsemi/Microchip SiC-Schottky-Dioden (SBD) bieten eine bessere dynamische und thermische Leistung als herkömmliche Silizium-Leistungsdioden. Die SiC-Barriere-Dioden (Siliziumkarbid, SiC) bestehen aus Silizium (Si) und Kohlenstoff (C). Im Vergleich zu reinen Silizium-Bauelementen bieten SiC-Bauelemente eine viel größere dielektrische Durchschlagsfeldstärke, eine höhere Bandlücke und eine höhere Wärmeleitfähigkeit. Die SiC-Schottky-Dioden verfügen über keine Durchlass- und Sperrverzögerungsladung, wodurch die Dioden-Schaltverluste reduziert werden können. Darüber hinaus bieten die Bauteile eine temperaturunabhängige Schaltung und gewährleisten eine stabile Hochtemperaturleistung.

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