MSCSM330AM07CD3NG

Microchip Technology
579-MSCSM33007CD3NG
MSCSM330AM07CD3NG

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module PM-MOSFET-SIC-SBD-D3

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
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Microchip
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
SiC
Screw Mount
HV-D3
N-Channel
2 Channel
3.3 kV
295 A
7.8 mOhms
23 V
2.7 V
- 40 C
+ 175 C
1.918 kW
Marke: Microchip Technology
Abfallzeit: 98 ns
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Anstiegszeit: 65 ns
Verpackung ab Werk: 1
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Regelabschaltverzögerungszeit: 405 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 127 ns
Vr - Sperrspannung: 3.3 kV
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Philippinen
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

HV-D3 mSiC® Power Modules

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules simplify and accelerate the adoption of Solid-State Transformers (SSTs) in AI hyperscale data centers and other high-voltage power applications. These high-efficiency power modules integrate 3.3kV Silicon Carbide (SiC) mSiC MOSFETs and Schottky diodes in an industry-standard 62mm package. This design construction enables efficient power delivery from medium-voltage grids directly to server racks. The HV-D3 modules deliver low switching losses, strong thermal performance, and high power density for demanding applications. Typical applications for Microchip Technology HV-D3 mSiC power modules include power transmission and distribution, industrial power, data centers, marine and aerospace, Electric Vehicle (EV) infrastructure, and renewable energy systems.

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