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MT47H64M16NF-25E AIT:M

Micron

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

340-248435-TRAY

Herst.- Nr.:

MT47H64M16NF-25E AIT:M

Herst.:

Micron

Beschreibung:

DRAM DDR2 1Gbit 16 84/135TFBGA 1 IT

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

MT47H64M16NF-25E AIT:M Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Micron MT47H64M16NF-25E AIT:M

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Hersteller:	Micron Technology
Produktkategorie:	DRAM
RoHS:
Typ:	SDRAM - DDR2
Speichergröße:	1 Gbit
Datenbus-Weite:	16 bit
Maximale Taktfrequenz:	400 MHz
Verpackung/Gehäuse:	FBGA-84
Organisation:	64 M x 16
Zugangszeit:	400 ps
Versorgungsspannung - Min.:	1.7 V
Versorgungsspannung - Max.:	1.9 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 95 C
Serie:	MT47H
Verpackung:	Tray
Marke:	Micron
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Produkt-Typ:	DRAM
Verpackung ab Werk:	1368
Unterkategorie:	Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.:	95 mA
Gewicht pro Stück:	17.181 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

MT47H64M16NF-25E AIT:M Datenblatt (PDF)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320032
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

MICRON TECHNOLOGY

DRAM 128GB/256GB Compute Express Links™ (CXLs)

Hochgeschwindigkeits-Verbindungsschnittstellen nach Industriestandard für die Kommunikation zwischen IO-Geräten.

Ermöglicht Server-Workloads durch Bereitstellung einer Erhöhung der Speicherleistung von mehr als 85 %.

DDR4 SDRAM-Speicher

Hochgeschwindigkeits-Speicher mit hoher Dichte, der für die höchsten Rechenarbeitslasten von Rechenzentren ausgelegt ist.

LPDDR4 Speicher

Kombiniert Leistung, Energie, Latenzzeit und physischen Raum, was ihn energieeffizient macht.

LPDDR5 DRAM für Mobilgeräte und KI

Zur Erfüllung der Anforderungen von 5G-Netzwerken und zur Verhinderung von 5G-Datenengpässen ausgelegt.

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