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RoHS

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2SCR293PT100

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-2SCR293PT100

Herst.- Nr.:

2SCR293PT100

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

Bipolartransistoren - BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A

Lebenszyklus:

NRND:

Nicht empfohlen für neue Designs.

Datenblatt:

2SCR293PT100 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-89-3
Transistorpolung:	NPN
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	30 V
Kollektor-Basisspannung VCBO:	30 V
Emitter-Basisspannung VEBO:	6 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	350 mV
Pd - Verlustleistung:	2 W
Bandbreitengewinnungsprodukt fT:	320 MHz
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	2SCR293P
Verpackung:	Reel
Marke:	ROHM Semiconductor
Kollektorgleichstrom:	1 A
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	270 at 100 mA, 2 V
DC Stromverstärkung hFE max.:	680 at 100 mA, 2 V
Produkt-Typ:	BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Artikel # Aliases:	2SCR293P

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Datenblatt

2SCR293PT100 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Specification Sheets

Datasheet - Japanese

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Thailand
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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