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A2F20M65W3-FC

Name: STMicroelectronics A2F20M65W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2F20M65W3-FC
Price: 65.98 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-A2F20M65W3-FC

Herst.- Nr.:

A2F20M65W3-FC

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

A2F20M65W3-FC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	58 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	34.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Höhe:	12 mm
Länge:	62.8 mm
Produkt:	MOSFET Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	SiC Power MOSFET
Breite:	56.7 mm
Gewicht pro Stück:	42 g

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Ausgewählte Attribute: 0

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

A2F20M65W3-FC Leistungsmodul

Das STMicroelectronics A2F20M65W3-FC Leistungsmodul realisiert eine Vierpack-Topologie in einem ACEPACK™ 2 Modul mit NTC und Kapazität. Es integriert die aktuellen Fortschritte bei den Siliziumkarbid-MOSFETs von STMicroelectronics, die in der Technologie der dritten Generation zum Einsatz kommen. Diese modulare Lösung wird verwendet, um komplexe Topologien mit sehr hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad zu realisieren.