ST8L65N065DM9

STMicroelectronics
511-ST8L65N065DM9
ST8L65N065DM9

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-4
N-Channel
1 Channel
650 V
44 A
65 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
78 nC
- 55 C
+ 150 C
223 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 6 ns
Serie: MDmesh DM9
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 61 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 19 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ M9 Leistungs-MOSFETs

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh™ M9 von STMicroelectronics zeichnen sich durch eine verbesserte Bauelementstruktur, einen niedrigen ON-Widerstand und niedrige Gate-Ladungswerte aus. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe Rückwärtsdioden-dv/dt- und MOSFET-dv/dt-Robustheit, eine hohe Leistungsdichte und geringe Leitungsverluste. Darüber hinaus bieten die MDmesh M9-Leistungs-MOSFETs eine hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und geringe Schaltleistungsverluste. Diese Leistungs-MOSFETs sind mit der innovativen Hochspannungs-Super-Junction-Technologie ausgelegt, die eine beeindruckende Gütezahl (FoM) liefert. Der hohe FoM ermöglicht höhere Leistungsstufen und eine höhere Dichte für kompaktere Lösungen. Zu den typischen Applikationen gehören Server, Telekommunikations-Rechenzentren, 5G-Kraftwerke, Mikrowechselrichter und Schnell Ladegeräte.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 Leistungs-MOSFET

Der Leistungs-MOSFET STP60N043DM9 MDmesh DM9 von STMicroelectronics wurde für Mittel-/Hochspannungs-MOSFETs entwickelt und zeichnet sich durch einen sehr niedrigen RDS(on) pro Fläche in Verbindung mit einer Fast-Recovery-Diode aus. Das Gerät nutzt die innovative Super-Junction-MDmesh-DM9-Technologie, die einen Multi-Drain-Fertigungsprozess bietet, der eine verbesserte Gerätestruktur ermöglicht.

Auf Lager: 210

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Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
CHF -.--
Erw. Preis:
CHF -.--
Vorauss. Zolltarif:
Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 5.58 CHF 5.58
CHF 3.73 CHF 37.30
CHF 3.00 CHF 300.00
CHF 2.68 CHF 1’340.00
CHF 2.53 CHF 2’530.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
CHF 2.36 CHF 7’080.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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