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STD6N60DM2

Name: STMicroelectronics STD6N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD6N60DM2
Price: 1.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD6N60DM2

Herst.- Nr.:

STD6N60DM2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Datenblatt:

STD6N60DM2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	19.6 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.6 ns
Serie:	STD6N60DM2
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.2 ns
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Datenblatt

STD6N60DM2 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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STD6N60DM2

Herst.: STMicroelectronics

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