Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STD80N10F7

Name: STMicroelectronics STD80N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STD80N10F7
Price: 1.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STD80N10F7

Herst.- Nr.:

STD80N10F7

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STD80N10F7 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STD80N10F7

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	45 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	85 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	STripFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	13 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	32 ns
Serie:	STD80N10F7
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	36 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	330 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STD80N10F7 Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem R_DS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten R_DS(on).
Weitere Informationen

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STMicroelectronics bietet die neuesten Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs. ST bietet ein großes Portfolio an MOSFETS und IGBTs an, die auf ihre spezifische Applikation zugeschnitten ist und für SNT-, Beleuchtungs-, Motorsteuerungs- und verschiedene Industrieapplikationen ausgelegt sind. Das Portfolio von ST umfasst Hochspannungs-Super-Junction-MOSFETs und Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs für harte und weiche Schalttopologien und Trench-basierte Niederspannungs-MOSFETs für die Leistungsumwandlung und BLDC-Motorantriebe. Die neuesten 1.200-V-SiC-MOSFETs von ST vereinen die branchenweit höchste Sperrschichttemperatur von 200 °C mit einem sehr niedrigen RDS(on)-Bereich (mit minimaler Veränderung gegenüber Temperatur) und einer ausgezeichneten Schaltleistung für effizientere und kompakte SNT-Designs. Für die Motorsteuerung bieten die IGBTs der M-Baureihe einen optimierten Kompromiss von VCE(SAT) und E(off) zusammen mit einer robusten Kurzschlussbeständigkeit. Entdecken Sie das komplette Angebot von ST an MOSFETs und IGBTs für SNT-Designs.

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Die STMicroelectronics STripFET F7 MOSFETs Serie verfügt über eine erweiterte Trench-Gate-Struktur mit schneller und effizienter Schaltung für vereinfachtes Design und reduzierte Ausrüstungsgröße und Kosten. Niedriger Durchlasswiderstand kombiniert mit niedrigen Schaltverlusten bei gleichzeitiger Reduzierung der inneren Kapazitäten und der Gate-Ladung. Sie eignen sich hervorragend für Synchrongleichrichterschaltungen und verfügen über ein optimales Crss/Ciss-Kapazitätsverhältnis für die niedrigste EMI. Die STripFET F7 verfügen über eine hohe Avalanche-Robustheit.
Weitere Informationen

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

Mehr erfahren

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Mehr erfahren

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

Mehr erfahren

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

Mehr erfahren

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

Mehr erfahren

Auf Lager: 2’409

Lagerbestand:: 2’409 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 20 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.72	CHF 1.72
	CHF 0.837	CHF 8.37
	CHF 0.743	CHF 74.30
	CHF 0.59	CHF 295.00
	CHF 0.545	CHF 545.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.497	CHF 1’242.50
	CHF 0.49	CHF 2’450.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

STD80N10F7

Herst.: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII Vervollständigen Sie Ihr Design

Technische Daten

Dokumente (5)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Neueste Technologien in Leistungs-MOSFETs und IGBTs

STripFET™ F7 Power MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE STMICROELECTRONICS

Auf Lager: 2’409

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII

Vervollständigen Sie Ihr Design

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS