Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STF11N60M2-EP

Name: STMicroelectronics STF11N60M2-EP
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF11N60M2-EP
Price: 1.9 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF11N60M2-EP

Herst.- Nr.:

STF11N60M2-EP

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STF11N60M2-EP Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STF11N60M2-EP

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	550 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	12.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.5 ns
Serie:	STF11N60M2-EP
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	26 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STF11N60M2-EP Datenblatt (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
Weitere Informationen

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

Mehr erfahren

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

Mehr erfahren

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

Mehr erfahren

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

Mehr erfahren

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

Mehr erfahren

Auf Lager: 850

Lagerbestand:: 850 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 24 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Bestellmengen größer als 850 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.90	CHF 1.90
	CHF 0.926	CHF 9.26
	CHF 0.829	CHF 82.90
	CHF 0.66	CHF 330.00
	CHF 0.613	CHF 613.00
	CHF 0.576	CHF 1’152.00
	CHF 0.562	CHF 2’810.00
	CHF 0.543	CHF 5’430.00
25’000	Kostenvoranschlag

STF11N60M2-EP

Herst.: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p Vervollständigen Sie Ihr Design

Technische Daten

Dokumente (3)

Datenblatt

PCN

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE STMICROELECTRONICS

Auf Lager: 850

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP p

Vervollständigen Sie Ihr Design

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS