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STF12NM60N

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STF12NM60N

Herst.- Nr.:

STF12NM60N

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N Ch 600V 0.35 Ohm 10A Pwr MOSFET

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STF12NM60N Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Versandmeldung:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	10 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	410 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	25 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	STB12NM60
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	60 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

STF12NM60N Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Malaysia
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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Verfügbarkeit

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Möglicher Ersatz

STMicroelectronics STF13NM60N

Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STF13NM60N

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh

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