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STGSB200M65DF2AG

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGSB200M65DF2AG

Herst.- Nr.:

STGSB200M65DF2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A low-loss M series IGBT in

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

abgekündigt

Datenblatt:

STGSB200M65DF2AG Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
Versandbeschränkungen:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	200
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

STGSB200M65DF2AG Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification 2025-12-4 (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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