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STGW60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGW60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGW60H65DFB
Price: 4.57 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGW60H65DFB

Herst.- Nr.:

STGW60H65DFB

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT

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Datenblatt:

STGW60H65DFB Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	80 A
Pd - Verlustleistung:	375 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGW60H65DFB
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	60 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	38 g

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PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IGBT V Series

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STGW60H65DFB

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