Zum Hauptinhalt wechseln

Teil der TTI Family of SpecialistsKontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +49 (0)89 520 462 110Feedback

Standort ändern

+49 (0)89 520 462 110 Standort ändern

Auf Lager

RoHS

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STP16N50M2

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STP16N50M2

Herst.- Nr.:

STP16N50M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

End-of-Life-Produkt :

Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Datenblatt:

STP16N50M2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	500 V
Id - Drain-Gleichstrom:	13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	280 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	19.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	110 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7.6 ns
Serie:	STP16N50M2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.6 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STP16N50M2 Datenblatt (PDF)

EOL

Product Discontinuance Notification (PDF)

PCN

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET

Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.

STL059N4S8AG Leistungs-MOSFET

Ein 40-V-N-Kanal-Anreicherungstyp-Leistungs-MOSFET, der in Smart StripFET F8 Technologie entwickelt wurde.

MDmesh K6 n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

800 V, durch Zener-Diode geschützt, zu 100 % Avalanche-getestet und ideal für Sperrwandler und LED-Beleuchtung.

STripFET F8 N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Sie sind nach AEC-Q101 zugelassen und bieten eine umfassende Paketlösung von 30 V bis 150 V.

STP80N1K1K6 N-Kanal Leistungs-MOSFET

Verwendet MDmesh K6-Technologie auf Basis von 20 Jahren Erfahrung im Bereich der Superjunction-Technologie.

Auf Lager: 848

Lagerbestand:: 848 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Bestellmengen größer als 848 können einer Mindestbestellmenge unterliegen.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.04	CHF 2.04
	CHF 1.30	CHF 13.00
	CHF 0.845	CHF 84.50
	CHF 0.73	CHF 365.00
	CHF 0.62	CHF 620.00
	CHF 0.603	CHF 1’206.00
	CHF 0.598	CHF 2’990.00

Ähnliches Produkt

STMicroelectronics STP18N60M2

Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STP18N60M2

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

Mit dem aktuellen Teil vergleichen