STP200N3LL

STMicroelectronics
511-STP200N3LL
STP200N3LL

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 30 V, 2 mOhm typ., 120 A, STripFET H6 Power MOSFET in a TO-220 package
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
30 V
120 A
2.15 mOhms
20 V
1 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
176.5 W
Enhancement
Tube
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 108 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 183 ns
Serie: STP200N3LL
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18 ns
Gewicht pro Stück: 2 g
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Datenblatt

PCN

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
China
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STripFET™ Leistungs-MOSFETs

Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs sind Enhancement-Mode-MOSFETs, die von den neuesten Verbesserungen der STMicroelectronics proprietären STripFET™-Technologie mit neuer Gate-Struktur profitieren. Das Resultat ist ein STripFET™ Leistungs-MOSFET mit hoher Stromfähigkeit und niedrigem RDS(on) für Schaltanwendungen im industriellen und Automobilbereich wie für Motorsteuerung, USV, DC-DC-Wandler, induktionsbetriebene Verdampfer und Solaranwendungen. STMicroelectronics STripFET™ Leistungs-MOSFETs haben eine sehr geringe Schalt-Gate-Ladung, hohe Avalanche-Beständigkeit, niedrige Gate-Treiber-Leistungsverluste und eine hohe Leistungsdichte. Diese STripFET™ Leistungs-MOSFETs zählen zu den Leistungs-MOSFETs im Bereich 30V–150V mit dem branchenweit niedrigsten RDS(on).
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CHF -.--
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CHF 0.519 CHF 259.50
CHF 0.461 CHF 461.00
CHF 0.405 CHF 810.00
CHF 0.404 CHF 1’616.00
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