STPSC20065GY-TR

STMicroelectronics
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Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
D2PAK
Single
20 A
650 V
1.3 V
400 A
30 uA
- 40 C
+ 175 C
600 V
STPSC
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 1.380 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CNHTS:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
MXHTS:
8541100101
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Singapur
Herstellungsland:
Singapur
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

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Gehäuse:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
CHF 5.89 CHF 5.89
CHF 3.14 CHF 31.40
CHF 2.88 CHF 288.00
CHF 2.71 CHF 1’355.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
CHF 2.56 CHF 2’560.00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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