STPSC30G12WL

STMicroelectronics
511-STPSC30G12WL
STPSC30G12WL

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
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Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
Through Hole
DO-247-2
Single
30 A
1.2 kV
1.35 V
250 A
15 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: STMicroelectronics
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück: 6 g
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Konformitätscodes
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
TARIC:
8541100000
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

STPSC30G12 Siliciumcarbid-Leistungs-Schottky-Dioden

Die STMicroelectronics   STPSC30G12-Siliciumcarbid-Leistungs-Schottky-Dioden sind in einer DO-247-Gehäuse mit langen Anschlussdrähten untergebracht. Der STMicroelectronics   STPSC30G12 ist ein extrem leistungsstarker   Leistungs-Schottky-Gleichrichter der mit Substrat Siliciumcarbid hergestellt wurde. Die Breitbandlücke des  Materials ermöglicht das Design eines niedrigen VF-Schottky Dioden-Aufbaud mit   1.200-V-Nennspannung. Dank des Schottky-Aufbaus wird beim Ausschalten keine Sperrverzögerung gezeigt und Überschwingmuster sind vernachlässigbar.  Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig .

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

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