STWA48N60M2

STMicroelectronics
511-STWA48N60M2
STWA48N60M2

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 long lead
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Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
42 A
70 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
70 nC
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
MDmesh
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 119 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 17 ns
Serie: STWA48N60M2
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 18.5 ns
Gewicht pro Stück: 6 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Konformitätscodes
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs verbinden eine vertikale Struktur mit STMs Streifenlayout für eines der branchenweit niedrigsten Niveaus an On-Widerstand und Gate-Ladung, wodurch die Komponenten den höchsten Ansprüchen von Wandlern mit hohem Wirkungsgrad gerecht werden. Diese MDmesh™ II Leistungs-MOSFETs sind vollständig isoliert und in einem Niedrigprofilgehäuse mit erhöhtem Kriechstrom vom Pin zur Kühlkörperplatte untergebracht. Sie sind zu 100% Avalanche-getestet und bieten niedrige Eingangskapazität, Gate-Ladung und Gate-Eingangswiderstand.
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