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CSD17575Q3

Name: Texas Instruments CSD17575Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17575Q3
Price: 1.54 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17575Q3

Herst.- Nr.:

CSD17575Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17575Q3T

Datenblatt:

CSD17575Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	182 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	23 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	108 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	118 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	CSD17575Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Gewicht pro Stück:	44.500 mg

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CSD17575Q3 Datenblatt

Models

CSD17575Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

SPICE Models

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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	CHF 0.64	CHF 64.00
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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
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	CHF 0.328	CHF 1’640.00

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Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17575Q3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.80

Min:

CSD17575Q3

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17575Q3T

Technische Daten

Dokumente (7)

Datenblatt

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