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CSD17576Q5B

Name: Texas Instruments CSD17576Q5B
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17576Q5B
Price: 1.65 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17576Q5B

Herst.- Nr.:

CSD17576Q5B

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT

Datenblatt:

CSD17576Q5B Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	53 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	CSD17576Q5B
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	106.100 mg

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Datenblatt

CSD17576Q5B Datenblatt

SPICE Models

CSD17576Q5B PSpice Model (Rev. A)

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.65	CHF 1.65
	CHF 0.813	CHF 8.13
	CHF 0.692	CHF 69.20
	CHF 0.548	CHF 274.00
	CHF 0.515	CHF 515.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.411	CHF 1’027.50
	CHF 0.401	CHF 4’010.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17576Q5BT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

CHF 1.93

Min:

CSD17576Q5B

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17576Q5BT

Technische Daten

Dokumente (2)

Datenblatt

SPICE Models

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

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