Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

CSD18532KCS

Name: Texas Instruments CSD18532KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18532KCS
Price: 2.5 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18532KCS

Herst.- Nr.:

CSD18532KCS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs

Datenblatt:

CSD18532KCS Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments CSD18532KCS

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	169 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	44 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	187 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.3 ns
Serie:	CSD18532KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.8 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CSD18532KCS Datenblatt

Images

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

EMPFOHLENE PRODUKTE

TEXAS INSTRUMENTS

2N7002L 6-V-N-Kanal-MOSFETs

Entwickelt, um den Einschaltwiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung zu gewährleisten.

Mehr erfahren

CSD16321Q5 n-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET

Ein 25-V-SON-NexFET™-Leistungs-MOSFET mit 1,9 mΩ von 5 mm × 6 mm, der zur Reduzierung von Verlusten ausgelegt ist.

Mehr erfahren

CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungs-Lastmanagement-Applikationen ausgelegt.

Mehr erfahren

CSD25310Q2 20V p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Entwickelt, um den niedrigsten On-Widerstand und die niedrigste Gate-Ladung zu liefern.

Mehr erfahren

CSD86356Q5D NexFET-Power-Block-Synchron-Abwärtswandler

Bieten hohen Strom, hohen Wirkungsgrad und Hochfrequenzleistungen in einem kleinen Gehäuse.

Mehr erfahren

Auf Lager: 1’304

Lagerbestand:: 1’304 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 9 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 2.50	CHF 2.50
	CHF 1.24	CHF 12.40
	CHF 1.06	CHF 106.00
	CHF 0.894	CHF 447.00
	CHF 0.877	CHF 877.00
	CHF 0.821	CHF 2’052.50
	CHF 0.813	CHF 4’065.00

CSD18532KCS

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs

Technische Daten

Dokumente (6)

Datenblatt

Images

PCN

Product Catalogs

SPICE Models

Umweltunterlagen

Produkt- und Handelskonformität

Mehr über

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Andere Kunden kauften auch

EMPFOHLENE PRODUKTE TEXAS INSTRUMENTS

Auf Lager: 1’304

Preis (CHF)

Schnellansicht

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N-Chanel NxFT P wr MOSFETs

EMPFOHLENE PRODUKTE

TEXAS INSTRUMENTS