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CSD18536KCS

Name: Texas Instruments CSD18536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18536KCS
Price: 4.72 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18536KCS

Herst.- Nr.:

CSD18536KCS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

Datenblatt:

CSD18536KCS Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	349 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	108 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	312 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD18536KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	2 g

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: China

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

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CSD18536KCS

Herst.: Texas Instruments

Beschreibung: MOSFETs 60-V N channel NexF ET power MOSFET si

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